Показано збільшення ефективності генерації другої гармоніки (до 70%) і зменшення безвипромінювальних втрат (до 25%) в кристалах KDP: TiO2 у порівнянні з номінально чистими кристалами KDP.

Розроблено сцинтиляційний детектор c використанням активованих кристалів типу KDP: (Tl+, Ce3+), для реєстрації швидких (n, γ) – потоках.

Визначено технологічні умови синтезу бінарних халькогенідів галію з високим відсотком виходу цільової речовини (>90%) та вирощування моно- кристалічного селеніду галію як нелегованого, так і легованих хромом для нелінійно-оптичних перетворювачів.

Запропоновано критерій когерентного сполучення між кристалічною граткою KDP і органічним іоном (комплексом), який дозволяє прогнозувати входження іона в кристал.

Кераміки Y₂O₃:RE, YAG:RE (RE=Nd, Yb, Sm), Y₂O₃-MgO

одержано методами реакційного спікання та іскрового плазмового спікання нанопорошків спеціального гранулометричного складу

Високощільна полікристалічна структура

• Щільна упаковка оптично-ізотропних зерен;
• Міжзеренні границі товщиною ~1 нм, прозорі для світла.

Лазерна кераміка Nd³⁺:YAG

• Концентрація активатора до 4 ат.%;
• Високий ККД генерації;
• Ефективне активне середовище для компактних лазерів.

Області практичного застосування

• Мікрочіпові лазери;
• Компактні лазери з діодною накачкою;
• Лазери для спеціальних застосувань

Побудовано теорію еволюції вакансійної пори у частинках матриці сферичної форми. У випадку твердого стану методом молекулярної динаміки виявлено існування магічних пор, які можуть існувати протягом тривалого часу. Частинка з магічною порою утворює метастабільний стан.

Описано фазовий перехід в стан “суперсолід” у розрідженому двовимірному газі електрон-діркових пар з просторово розділеними компонентами. Знайдено, що такий перехід є переходом першого роду і фаза “суперсолід” є гексагональною.

На основі теорії функціонала густини розраховані рівноважні концентрації точкових дефектів у кристалі Ti:α-Al2O3. Показано, що концентрація кластерних дефектів, що формуються атомами титану в різних зарядових станах і вакансіями алюмінію, може бути порядку або навіть перевищувати концентрацію простих дефектів. Отримано універсальне спів- відношення між концентраціями простих і комплексних дефектів. Визначено умови, що сприяють зменшенню концентрації пар Ti3+-Ti4+.

Побудовано теорію залежності індикатриси відбиття від структурно-складної границі, що дозволяє реалізувати будь-яке співвідношення між часткою дифузійної і дзеркальної компонент від кута падіння променів. Показано, що у таких модельних границях вигляд дифузійної частини індикатриси, відрізняється від закону Кнудсена-Ламберта та якісно збігається з експериментальними.