RU EN

Тематика

ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ:

  • фундаментальные и прикладные исследования процессов выращивания кристаллов;
  • поиск новых кристаллических и наноструктурных сред с функционально важными свойствами, фундаментальные основы нанотехнологий;
  • комплексные исследования физико-химических свойств и физических явлений в кристаллах, тонких пленках, наноматериалах;
  • теория нелинейных явлений, транспорта и структурообразования в конденсированном состоянии вещества.


ОСНОВНЫЕ ТИПЫ РАЗРАБАТЫВАЕМЫХ МАТЕРИАЛОВ:

  • монокристаллы оксидов Pb(Mo)O4, Pb(W)O4,  AlN, YAG:Ce, LuAG:Pr, CaGa2-xMnxGe3O12, LuAG:Ce, NaCa2Mn2V3O12 и др. для оптики, оптоэлектроники и сцинтилляционной техники;
  • полупроводниковые монокристаллы группы AIIBVI и их твердых растворов Cd1-xZnxTe, ZnSe:Cr, ZnSe:Fe, Zn1-xMgxSe:Cr и др. для детектирования ионизирующего излучения;
  • нелинейно-оптические материалы на основе монокристаллов группы KDP, допированные наночастицами TiO2, SiO2, ZrO2, Al2O3, Au и др.;
  • сцинтилляционные материалы на основе монокристаллов группы KDP, допированных органическими люминофорами и редкоземельными элементами Ce3+, Sm3+, Gd3+,Yb3+ для регистрации смешанных n/γ полей;
  • сапфир конструкционного назначения для изготовления подложек светодиодов, оптических окон, прозрачной брони, химической посуды, медицинских имплантатов и др.
  • нанокристаллические пленки углерода и SiC для оптики и электроники;
  • нанопорошки благородных металлов Au, Ag, Pt, Pd, оксидов RE2O3 (RE: Lu, Eu, Gd), Y2O3, Y3Al5O12 и др., полупроводников ZnO, CdS, PbS и др., пленочные структуры и керамика на их основе для задач фотоники, катализа, медицины;
  • органико-неорганические наногибридные многослойные материалы для матричных электролюминесцентных светодиодов и фотопреобразователей.


ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РАЗРАБОТКИ:

  • выращивания крупных монокристаллов сапфира (до 350х500х50 мм3) методом горизонтально направленной кристаллизации в средах с регулируемым окислительно-восстановительным потенциалом;
  • выращивания монокристаллов сапфира диаметром до 250 мм методом Киропулоса;
  • выращивания монокристаллов  методами Чохральского и горизонтально-направленной кристаллизации (до 100х200х50 мм3) ;
  • получения AlN покрытий на поверхности сапфира методом термохимической нитридизации;
  • выращивания профилированного сапфира методом Степанова в виде стержней и трубок переменного диаметра, капилляров, пластин различных типоразмеров и др.;
  • выращивания монокристаллов группы AIIBVI методом Бриджмена под высоким давлением;
  • выращивания монокристаллов группы KDP, в том числе допированных диэлектрическими и металлическими наночастицами, органическими люминофорами и ионами редкоземельных элементов;
  • низкотемпературного синтеза пленок углерода и SiC осаждением ионных пучков на подложку;
  • синтеза слабоагломерированных нанопорошков различных типов методами химического соосаждения;
  • методов консолидации и спекания нанопорошков;
  • методов формирования многослойных гетероструктур с инкорпорированными нанокристаллами полупроводников;
  • ростовой аппаратуры и управляющих программ.